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UGBT、MOSFET - 单
STGW60V60F参考图片

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STGW60V60F

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 600V 80A 375W TO247
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
80A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
240A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.3V @ 15V,60A
功率 - 最大值
375W
开关能量
750µJ(开),550µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
334nC
25°C 时 Td(开/关)值
60ns/208ns
测试条件
400V,60A,4.7 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
400V,60A,4.7 欧姆,15V
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247
商品其它信息
优势价格,STGW60V60F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 36A 178W TO247-3
暂无价格
参考库存:44325
UGBT、MOSFET - 单
IGBT STD 600V 50A TO-247AC
暂无价格
参考库存:44333
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 13A 60W D2PAK
暂无价格
参考库存:44341
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 40A 160W TO3P
暂无价格
参考库存:44349
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 80A 257W TO247
暂无价格
参考库存:44357
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