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UGBT、MOSFET - 单
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AOT10B65M2

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
Alpha IGBT™
零件状态
有源
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
650V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
20A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
30A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2V @ 15V,10A
功率 - 最大值
150W
开关能量
180µJ(开),130µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
24nC
25°C 时 Td(开/关)值
12ns/91ns
测试条件
400V,10A,30 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
262ns
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商器件封装
TO-220
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 130A 469W TO247AC
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UGBT、MOSFET - 单
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UGBT、MOSFET - 单
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暂无价格
参考库存:37817
UGBT、MOSFET - 单
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暂无价格
参考库存:37825
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暂无价格
参考库存:37833
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