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UGBT、MOSFET - 单
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APT25GP120BDQ1G

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
POWER MOS 7®
零件状态
有源
IGBT 类型
PT
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
69A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
90A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
3.9V @ 15V，25A
功率 - 最大值
417W
开关能量
500µJ（开），440µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
110nC
25°C 时 Td（开/关）值
12ns/70ns
测试条件
600V，25A，5 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
600V，25A，5 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247 [B]
商品其它信息
优势价格，APT25GP120BDQ1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IGB50N60TATMA1
Infineon Technologies
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IXBH42N170A
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SGL50N60RUFDTU
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暂无价格
参考库存:3175
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