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UGBT、MOSFET - 单
SGW23N60UFDTM参考图片

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SGW23N60UFDTM

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 600V 23A 100W D2PAK
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
23A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
92A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.6V @ 15V，12A
功率 - 最大值
100W
开关能量
115µJ（开），135µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
49nC
25°C 时 Td（开/关）值
17ns/60ns
测试条件
300V，12A，23 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
60ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装
D²PAK
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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