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UGBT、MOSFET - 单
RJH65T47DPQ-A0#T0参考图片

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RJH65T47DPQ-A0#T0

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
沟道
电压 - 集射极击穿(最大值)
650V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
90A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
90A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.4V @ 15V,45A
功率 - 最大值
375W
开关能量
520µJ(开),560µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
127nC
25°C 时 Td(开/关)值
45ns/190ns
测试条件
400V,45A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
100ns
工作温度
175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247A
商品其它信息
优势价格,RJH65T47DPQ-A0#T0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 75A 250W TO247AD
暂无价格
参考库存:46053
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 30A 150W TO268
暂无价格
参考库存:46061
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 65A 250W TO220
暂无价格
参考库存:46069
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 60A 321W TO247AC
暂无价格
参考库存:46077
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 40A 170W TO220-3
暂无价格
参考库存:46085
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