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UGBT、MOSFET - 单
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FGPF30N30TTU

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 300V 44.6W TO220F
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）
300V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
300V
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
80A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
1.5V @ 15V，10A
功率 - 最大值
44.6W
开关能量
-
输入类型
标准
栅极电荷
65nC
25°C 时 Td（开/关）值
22ns/130ns
测试条件
200V，20A，20 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
200V，20A，20 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商器件封装
TO-220F
商品其它信息
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