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UGBT、MOSFET - 单
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SGB15N60ATMA1

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
31A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
62A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.4V @ 15V，15A
功率 - 最大值
139W
开关能量
570µJ
输入类型
标准
栅极电荷
76nC
25°C 时 Td（开/关）值
32ns/234ns
测试条件
400V，15A，21 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
400V，15A，21 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装
PG-TO263-3
商品其它信息
优势价格，SGB15N60ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RJH60F3DPK-00#T0
Renesas Electronics America
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 40A 178.5W TO-3P
暂无价格
参考库存:35191
SKW30N60FKSA1
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 41A 250W TO247-3
暂无价格
参考库存:35199
IRGB15B60KDPBF
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 31A 208W TO220AB
暂无价格
参考库存:35207
IRG4RC10UTRLPBF
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 8.5A 38W DPAK
暂无价格
参考库存:35215
HGTP7N60C3D
ON Semiconductor
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 14A 60W TO220AB
暂无价格
参考库存:35223
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