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UGBT、MOSFET - 单
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APT40GP60SG

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
POWER MOS 7®
零件状态
有源
IGBT 类型
PT
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
100A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
160A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.7V @ 15V，40A
功率 - 最大值
543W
开关能量
385µJ（开），352µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
135nC
25°C 时 Td（开/关）值
20ns/64ns
测试条件
400V，40A，5 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
400V，40A，5 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
供应商器件封装
D3 [S]
商品其它信息
优势价格，APT40GP60SG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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