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UGBT、MOSFET - 单
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IKD10N60R

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
TrenchStop®
零件状态
停產
IGBT 类型
沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
20A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
30A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.1V @ 15V，10A
功率 - 最大值
150W
开关能量
590µJ
输入类型
标准
栅极电荷
64nC
25°C 时 Td（开/关）值
14ns/192ns
测试条件
400V，10A，23 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
62ns
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装
PG-TO252-3
商品其它信息
优势价格，IKD10N60R的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NGTB10N60R2DT4G
ON Semiconductor
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暂无价格
参考库存:39019
IRG6I320UPBF
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暂无价格
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STGB6NC60HD-1
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IGBT 600V 15A 56W I2PAK
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参考库存:39043
IRGS4B60KPBF
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V D2PAK-3
暂无价格
参考库存:39051
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