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UGBT、MOSFET - 单
HGT1S7N60C3DS参考图片

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HGT1S7N60C3DS

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 600V 14A 60W TO263AB
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
14A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
56A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2V @ 15V，7A
功率 - 最大值
60W
开关能量
165µJ（开），600µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
23nC
25°C 时 Td（开/关）值
-
测试条件
480V，7A，50欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
37ns
工作温度
-
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装
TO-263AB
商品其它信息
优势价格，HGT1S7N60C3DS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HGT1S10N120BNS
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暂无价格
参考库存:47053
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