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UGBT、MOSFET - 单
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IRGS4715DPBF

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
21A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
24A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2V @ 15V，8A
功率 - 最大值
100W
开关能量
200µJ（开），90µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
30nC
25°C 时 Td（开/关）值
30ns/100ns
测试条件
400V，8A，50 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
86ns
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
商品其它信息
优势价格，IRGS4715DPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STGP8NC60K
STMicroelectronics
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 15A 65W TO220
暂无价格
参考库存:37253
NGTB15N120IHLWG
ON Semiconductor
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IGBT 1200V 30A 156W TO247-3
暂无价格
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HGT1S7N60C3DS
ON Semiconductor
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IGBT 600V 14A 60W TO263AB
暂无价格
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IRG4IBC20FDPBF
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 14.3A 34W TO220FP
暂无价格
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IXGH12N60CD1
IXYS
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IGBT 600V 24A 100W TO247AD
暂无价格
参考库存:37285
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