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UGBT、MOSFET - 单
IRGS4715DPBF参考图片

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IRGS4715DPBF

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
650V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
21A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
24A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2V @ 15V,8A
功率 - 最大值
100W
开关能量
200µJ(开),90µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
30nC
25°C 时 Td(开/关)值
30ns/100ns
测试条件
400V,8A,50 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
86ns
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
商品其它信息
优势价格,IRGS4715DPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 17A 45W TO220FP
暂无价格
参考库存:38955
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 22A 66W DPAK
暂无价格
参考库存:38963
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 80A 250W TO264
暂无价格
参考库存:38971
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 50A 200W TO247
暂无价格
参考库存:38979
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 2.4A 2.1W SOT-223
暂无价格
参考库存:38987
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