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UGBT、MOSFET - 单
STGB20NC60V参考图片

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STGB20NC60V

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 600V 60A 200W D2PAK
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
PowerMESH™
零件状态
停產
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
60A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
100A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.5V @ 15V,20A
功率 - 最大值
200W
开关能量
220µJ(开),330µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
100nC
25°C 时 Td(开/关)值
31ns/100ns
测试条件
390V,20A,3.3 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
390V,20A,3.3 欧姆,15V
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
商品其它信息
优势价格,STGB20NC60V的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 23A 100W TO220AB
暂无价格
参考库存:45333
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 6A 68W TO220
暂无价格
参考库存:45341
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 60A 235.8W TO247A
暂无价格
参考库存:45349
UGBT、MOSFET - 单
DIODE IGBT 680V 24A TO-247AC
暂无价格
参考库存:45357
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 11.4A 34W TO220FP
暂无价格
参考库存:45365
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