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UGBT、MOSFET - 单

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AIHD03N60RFATMA1

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
Digi-Key 停产
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
5A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
7.5A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.5V @ 15V,2.5A
功率 - 最大值
53.6W
开关能量
50µJ(开),40µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
17.1nC
25°C 时 Td(开/关)值
10ns/128ns
测试条件
400V,2.5A,68 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
400V,2.5A,68 欧姆,15V
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装
PG-TO252-3-313
商品其它信息
优势价格,AIHD03N60RFATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 75A 480W TO264
暂无价格
参考库存:34887
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 11A 60W TO247AC
暂无价格
参考库存:34895
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 31A 100W D2PAK
暂无价格
参考库存:34903
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 66A 140W ISOPLUS247
暂无价格
参考库存:34911
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1300V 55A 180W TO247
暂无价格
参考库存:34919
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