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UGBT、MOSFET - 单
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STGB7NB60HDT4

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带(CT)
系列
PowerMESH™
零件状态
停產
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
14A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
56A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.8V @ 15V,7A
功率 - 最大值
80W
开关能量
85µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
42nC
25°C 时 Td(开/关)值
15ns/75ns
测试条件
480V,7A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
100ns
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
商品其它信息
优势价格,STGB7NB60HDT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1000V 8A 40W TO263AA
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暂无价格
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