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UGBT、MOSFET - 单
IXGQ50N60B4D1参考图片

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IXGQ50N60B4D1

  • IXYS
  • 新批次
  • IGBT 600V 100A 300W TO3P
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
PT
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
100A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
230A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
1.8V @ 15V,36A
功率 - 最大值
300W
开关能量
930µJ(开),1mJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
110nC
25°C 时 Td(开/关)值
37ns/330ns
测试条件
400V,36A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
25ns
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装
TO-3P
商品其它信息
优势价格,IXGQ50N60B4D1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 14A 37W TO220ABFP
暂无价格
参考库存:34169
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 14A 38W TO262
暂无价格
参考库存:34177
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 15A 56W DPAK
暂无价格
参考库存:34185
UGBT、MOSFET - 单
INTEGRATED CIRCUIT
暂无价格
参考库存:34193
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 3.2A 28W TO220-3
暂无价格
参考库存:34209
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