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UGBT、MOSFET - 单
IRG8P15N120KD-EPBF参考图片

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IRG8P15N120KD-EPBF

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
30A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
30A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2V @ 15V,10A
功率 - 最大值
125W
开关能量
600µJ(开),600µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
98nC
25°C 时 Td(开/关)值
15ns/170ns
测试条件
600V,10A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
60ns
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247AD
商品其它信息
优势价格,IRG8P15N120KD-EPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 9A 45W TO252AA
暂无价格
参考库存:57822
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 3000V TO247
暂无价格
参考库存:9918
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 17A 70W TO220AB
暂无价格
参考库存:57832
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 900V 20A 125W C3 TO-252
暂无价格
参考库存:19378
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 3000V 42A 357W TO268
暂无价格
参考库存:8320
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