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UGBT、MOSFET - 单
STGWA25M120DF3参考图片

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STGWA25M120DF3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 1200V 50A 375W TO247
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
50A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
100A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.3V @ 15V,25A
功率 - 最大值
375W
开关能量
850µJ(开),1.3mJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
85nC
25°C 时 Td(开/关)值
28ns/150ns
测试条件
600V,25A,15欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
265ns
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247 长引线
商品其它信息
优势价格,STGWA25M120DF3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 50A 201.6W TO-247A
暂无价格
参考库存:38299
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 75A 200W TO3P
暂无价格
参考库存:38307
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V ISOPLUS247
暂无价格
参考库存:38315
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 50A TO247AD
暂无价格
参考库存:38323
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 31A 100W TO247AC
暂无价格
参考库存:38331
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