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UGBT、MOSFET - 单
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APT30GP60B2DLG

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
PT
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
100A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
120A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.7V @ 15V，30A
功率 - 最大值
463W
开关能量
260µJ（开），250µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
90nC
25°C 时 Td（开/关）值
13ns/55ns
测试条件
400V，30A，5 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
400V，30A，5 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
T-MAX™
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STGW40NC60V
STMicroelectronics
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IGBT 600V 80A 260W TO247
暂无价格
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IXGH48N60B3D1
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IGBT 600V 300W TO247
暂无价格
参考库存:8590
IGP40N65H5XKSA1
Infineon Technologies
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暂无价格
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IXGQ240N30PB
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IGBT 300V 240A 500W TO3P
暂无价格
参考库存:58106
RGTV00TK65GVC11
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暂无价格
参考库存:10702
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