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栅极驱动器
SI8275BBD-IM1参考图片

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SI8275BBD-IM1

  • Silicon Labs
  • 新批次
  • 4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
系列
汽车级，AEC-Q100
零件状态
有源
技术
容性耦合
通道数
2
电压 - 隔离
2500Vrms
共模瞬态抗扰度（最小值）
200kV/µs
传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）
75ns，75ns
脉宽失真（最大）
8ns
上升/下降时间（典型值）
10.5ns，13.3ns
电流 - 输出高，低
1.8A，4A
电流 - 峰值输出
4A
电压 - 正向（Vf）（典型值）
-
电流 - DC 正向（If）
-
电压 -输出供电
4.2V ~ 30V
工作温度
-40°C ~ 125°C
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
14-VDFN
供应商器件封装
14-QFN（5x5）
认可
CQC，CSA，UL，VDE
商品其它信息
优势价格，SI8275BBD-IM1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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