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栅极驱动器
NCP5901DR2G参考图片

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NCP5901DR2G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带(CT)
系列
-
零件状态
有源
驱动配置
半桥
通道类型
同步
驱动器数
2
栅极类型
N 沟道 MOSFET
电压 - 电源
4.5V ~ 13.2V
逻辑电压- VIL,VIH
1V,2V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)
-
输入类型
非反相
高压侧电压 - 最大值(自举)
35V
上升/下降时间(典型值)
16ns,11ns
工作温度
0°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SOIC
商品其它信息
优势价格,NCP5901DR2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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