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FET,MOSFET - 阵列
SP8M4FRATB参考图片

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SP8M4FRATB

  • Rohm Semiconductor
  • 新批次
  • 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带(CT)
系列
汽车级,AEC-Q101
零件状态
有源
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
标准
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
9A(Ta),7A(Ta)
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
18 毫欧 @ 9A,10V,28 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
15nC @ 5V,25nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1190pF @ 10V,2600pF @ 10V
功率 - 最大值
2W
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SOP
商品其它信息
优势价格,SP8M4FRATB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
暂无价格
参考库存:50009
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC
暂无价格
参考库存:50025
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP
暂无价格
参考库存:50033
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC
暂无价格
参考库存:50041
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH EFCP1818
暂无价格
参考库存:50049
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