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FET，MOSFET - 阵列
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SP8M4FRATB

  • Rohm Semiconductor
  • 新批次
  • 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
汽车级，AEC-Q101
零件状态
有源
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
9A（Ta），7A（Ta）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
18 毫欧 @ 9A，10V，28 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
15nC @ 5V，25nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1190pF @ 10V，2600pF @ 10V
功率 - 最大值
2W
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOP
商品其它信息
优势价格，SP8M4FRATB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMN2008LFU-13
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