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UGBT、MOSFET - 单
NGTB15N60S1EG参考图片

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NGTB15N60S1EG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 600V 30A 117W TO220-3
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
30A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
120A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
1.7V @ 15V，15A
功率 - 最大值
117W
开关能量
550µJ（开），350µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
88nC
25°C 时 Td（开/关）值
65ns/170ns
测试条件
400V，15A，22 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
270ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商器件封装
TO-220
商品其它信息
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