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UGBT、MOSFET - 单
FGB20N60SFD-F085参考图片

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FGB20N60SFD-F085

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 600V 40A 208W D2PAK
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
汽车级，AEC-Q101
零件状态
有源
IGBT 类型
场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
40A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
60A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.85V @ 15V，20A
功率 - 最大值
208W
开关能量
310µJ（开），130µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
63nC
25°C 时 Td（开/关）值
10ns/90ns
测试条件
400V，20A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
111ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装
D²PAK
商品其它信息
优势价格，FGB20N60SFD-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RJP60F0DPM-00#T1
Renesas Electronics America
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 50A 40W TO-3PFM
暂无价格
参考库存:41339
IRG4BC10SDPBF
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 14A 38W TO220AB
暂无价格
参考库存:41347
APT30GP60LDLG
Microsemi Corporation
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 100A 463W TO264
暂无价格
参考库存:41355
IRG4IBC20WPBF
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 12A 34W TO220FP
暂无价格
参考库存:41371
HGTP12N60C3
ON Semiconductor
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 24A 104W TO220AB
暂无价格
参考库存:41379
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