您好！欢迎来到中飞凌芯城 登录 注册

产品分类

首 页 商品目录 品牌专区 BOM配单 品牌入驻 自营现货
UGBT、MOSFET - 单
HGTG10N120BND参考图片

图片仅供参考， 请参阅产品规格

  • 分享到：
  • 0

HGTG10N120BND

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 1200V 35A 298W TO247
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式，3分钟内即可给您回复
  • 公司名：
  • *联系人：
  • *电话：
  • *邮箱：
   微信：      QQ：
库存：5,451(价格仅供参考)
数量单价合计
暂无价格,请联系询价
询价数量：
加入询价单立即询价
相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
不適用於新設計
IGBT 类型
NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
35A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
80A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.7V @ 15V，10A
功率 - 最大值
298W
开关能量
850µJ（开），800µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
100nC
25°C 时 Td（开/关）值
23ns/165ns
测试条件
960V，10A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
70ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247-3
商品其它信息
优势价格，HGTG10N120BND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRGR3B60KD2TRP
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 7.8A 52W DPAK
暂无价格
参考库存:37921
IRGB30B60K
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 78A 370W TO220AB
暂无价格
参考库存:37929
IXBL60N360
IXYS
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 3600V 92A ISOPLUS I5PAK
暂无价格
参考库存:37937
NGB15N41CLT4
ON Semiconductor
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 440V 15A 107W D2PAK
暂无价格
参考库存:37945
GPA015A120MN-ND
SemiQ
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 30A 212W TO3PN
暂无价格
参考库存:37953
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市中飞凌科技有限公司

电话：0755-83002566

手机：15307553891

传真：0755-23890609

Email: 673288487@qq.com

Q Q:

地址：深圳市福田区华强北街道华航社区振兴路109号华康大厦1栋623


微信联系我们

Copyright © 2010-2023 深圳市中飞凌科技有限公司 粤ICP备2023011158号

24小时在线客服
热线电话

15307553891

微信联系我们 微信扫码联系我们