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UGBT、MOSFET - 单
HGTG10N120BND参考图片

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HGTG10N120BND

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 1200V 35A 298W TO247
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
不適用於新設計
IGBT 类型
NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
35A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
80A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.7V @ 15V，10A
功率 - 最大值
298W
开关能量
850µJ（开），800µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
100nC
25°C 时 Td（开/关）值
23ns/165ns
测试条件
960V，10A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
70ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247-3
商品其它信息
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