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UGBT、MOSFET - 单
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SGB15N120ATMA1

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
最後搶購
IGBT 类型
NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
30A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
52A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
3.6V @ 15V，15A
功率 - 最大值
198W
开关能量
1.9mJ
输入类型
标准
栅极电荷
130nC
25°C 时 Td（开/关）值
18ns/580ns
测试条件
800V，15A，33 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
800V，15A，33 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装
PG-TO263-3
商品其它信息
优势价格，SGB15N120ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ISL9V2040D3ST
ON Semiconductor
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 430V 10A 130W TO252AA
暂无价格
参考库存:51104
ISL9V3040S3ST
ON Semiconductor
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 430V 21A 150W TO263AB
暂无价格
参考库存:50768
FGA180N33ATTU
ON Semiconductor
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 330V 180A 390W TO3P
暂无价格
参考库存:3364
STGP35HF60W
STMicroelectronics
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 60A 200W TO220
暂无价格
参考库存:6156
STGF10H60DF
STMicroelectronics
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 20A 30W TO220FP
暂无价格
参考库存:6103
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