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UGBT、MOSFET - 单
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STGB3NB60KDT4

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
PowerMESH™
零件状态
停產
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
10A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
24A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.8V @ 15V,3A
功率 - 最大值
50W
开关能量
30µJ(开),58µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
14nC
25°C 时 Td(开/关)值
14ns/33ns
测试条件
480V,3A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
45ns
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
商品其它信息
优势价格,STGB3NB60KDT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 20A 85W TO247
暂无价格
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UGBT、MOSFET - 单
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IGBT 500V 27A DPAK-3
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IGBT 600V 15A 56W D2PAK
暂无价格
参考库存:11976
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 75A 300W TO268
暂无价格
参考库存:7248
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