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UGBT、MOSFET - 单
STGW30N120KD参考图片

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STGW30N120KD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 1200V 60A 220W TO247
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
PowerMESH™
零件状态
停產
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
60A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
100A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
3.85V @ 15V,20A
功率 - 最大值
220W
开关能量
2.4mJ(开),4.3mJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
105nC
25°C 时 Td(开/关)值
36ns/251ns
测试条件
960V,20A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
84ns
工作温度
-55°C ~ 125°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247-3
商品其它信息
优势价格,STGW30N120KD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
IGBT W/DIODE 600V 70A TO-247AC
暂无价格
参考库存:38395
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 30A 115W TO247AC
暂无价格
参考库存:38403
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 75A 300W TO268
暂无价格
参考库存:38411
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 31A 208W D2PAK
暂无价格
参考库存:38419
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 48A 250W TO247
暂无价格
参考库存:38427
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